Produktnummer: 131489
EVERLIGHT Doppel-Fototransistor PT5529B; NPN; Infrarot; Flachgehäuse mit Seitenlinse;
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Top-Features:
- Doppel-Fototransistor PT5529B von EVERLIGHT
- NPN-Transistor mit gemeinsamen Kollektor
- Wellenlänge 400-940-1100 nm
- Empfindlichkeit 0,13 … 1,1 mA @ 0,555 mW/cm²
- VCE max. 30V mA, VEC max. 5V
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Produktinformationen "EVERLIGHT Doppel-Fototransistor PT5529B; NPN; Infrarot; Flachgehäuse mit Seitenlinse; "
Schneller, empfindlicher Doppel-Fototransistor mit gemeinsamen Kollektor; im schwarzen Gehäuse; ohne Basisanschluss; RoHS konform.
Technische Daten:
- Wellenlänge (50%-max-50%): 400-940-1100 nm
- Empfindlichkeit: 0,13 … 1,1 mA @ 0,555 mW/cm², VCE= 5V
- Öffnungswinkel: k. A.
- VCE max.: 30V mA
- VEC max.: 5 V
- IC max.: 20 mA
- IC off: 100 nA @ Vce=20 V
- tr: 15 µsec
- tf: 15 µsec
- PVmax: 75 mW @ 25 °C
- Temp. Bereich: -25 … 85 °C
- Gehäuse: 4,5 x 4,8 x 2,8 mm mit Seitenlinse 1,5 mm
- Montage: THT
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