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Top-Features:
- Schneller, empfindlicher Infrarot Fototransistor
- Tageslicht-gefiltertes schwarzes Gehäuse
- Wellenlänge: 760-940-1100 nm
- Empfindlichkeit: 0,7 … 5,07 mA
- VCE max: 30 V
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EVERLIGHT Fototransistor PT204-6C; NPN; Tageslicht und Infrarot; 3 mm rund;
Artikelnummer: 131487
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EVERLIGHT Fototransistor PT333-3C; Tageslicht und Infrarot; 5 mm rund;
Artikelnummer: 131490
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Fotodiode, IR-Empfängerdiode, Ø 5 mm, 700-1200 nm
Artikelnummer: 121752
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EVERLIGHT Fototransistor PT204-6C; NPN; Tageslicht und Infrarot; 3 mm rund;
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EVERLIGHT Fototransistor PT333-3C; Tageslicht und Infrarot; 5 mm rund;
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Fotodiode, IR-Empfängerdiode, Ø 5 mm, 700-1200 nm
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EVERLIGHT Fototransistor PT204-6C; NPN; Tageslicht und Infrarot; 3 mm rund;
Artikelnummer: 131487
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EVERLIGHT Fototransistor PT333-3C; Tageslicht und Infrarot; 5 mm rund;
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Fotodiode, IR-Empfängerdiode, Ø 5 mm, 700-1200 nm
Artikelnummer: 121752
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EVERLIGHT Fototransistor PT204-6C; NPN; Tageslicht und Infrarot; 3 mm rund;
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EVERLIGHT Fototransistor PT333-3C; Tageslicht und Infrarot; 5 mm rund;
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Fotodiode, IR-Empfängerdiode, Ø 5 mm, 700-1200 nm
Artikelnummer: 121752
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Artikelnummer: 131117
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Transistor BD139-16, NPN, 80 V, 1,5 A
Artikelnummer: 131093
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UNISONIC TECHNOLOGIES MOSFET, Kleinleistungstransistor, 2N7000, TO-92, N-Channel
Artikelnummer: 131528
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DIOTEC Transistor, Kleinsignal, BC557C-BK
Artikelnummer: 131085
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ON SEMICONDUCTOR J-FET, Kleinsignaltransistor, J113, N-Channel, TO-92
Artikelnummer: 131478
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Transistor BC548B, NPN, 30 V, 0,5 A, TO92
Artikelnummer: 130110
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Transistor BC337-25, NPN, 45 V, 0,8 A, TO92
Artikelnummer: 130327
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Artikelnummer: 130754
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Artikelnummer: 130056
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INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRF9540NPBF
Artikelnummer: 131122
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Transistor BD139-16, NPN, 80 V, 1,5 A
Artikelnummer: 131093
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UNISONIC TECHNOLOGIES MOSFET, Kleinleistungstransistor, 2N7000, TO-92, N-Channel
Artikelnummer: 131528
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DIOTEC Transistor, Kleinsignal, BC557C-BK
Artikelnummer: 131085
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ON SEMICONDUCTOR J-FET, Kleinsignaltransistor, J113, N-Channel, TO-92
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Produktinformationen "EVERLIGHT Fototransistor PT204-6B; NPN; Infrarot; 3 mm rund; "
Schneller, empfindlicher Infrarot Fototransistor im Tageslicht-gefilterten schwarzen Gehäuse; ohne Basisanschluss; RoHS konform.
Technische Daten:
- Wellenlänge (50%-max-50%): 760-940-1100 nm
- Empfindlichkeit: 0,7 … 5,07 mA @ 1 mW/cm²; VCE= 5 V
- Öffnungswinkel: k. A.
- VCE max: 30 V
- VEC max: 5 V
- IC max: 20 mA
- IC off: 100 nA @ VCE=20 V
- tr: 15 µsec
- tf: 15 µsec
- PV max: 75 mW @ 25 °C
- Temp. Bereich: -25 … 85 °C
- Gehäuseform: T-1
- Montage : THT
Verfügbare Downloads
Farbe: | schwarz-silber |
---|---|
Menge: | 1 St. |
Transistortyp: | NPN |
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