Produktnummer: 131486
EVERLIGHT Fototransistor PT204-6B; NPN; Infrarot; 3 mm rund;
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Top-Features:
- Schneller, empfindlicher Infrarot Fototransistor
- Tageslicht-gefiltertes schwarzes Gehäuse
- Wellenlänge: 760-940-1100 nm
- Empfindlichkeit: 0,7 … 5,07 mA
- VCE max: 30 V
EVERLIGHT Fototransistor PT333-3C; Tageslicht und Infrarot; 5 mm rund;
Produktnummer: 131490
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Fotodiode, IR-Empfängerdiode, Ø 5 mm, 700-1200 nm
Produktnummer: 121752
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EVERLIGHT Doppel-Fototransistor PT5529B; NPN; Infrarot; Flachgehäuse mit Seitenlinse;
Produktnummer: 131489
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EVERLIGHT Fototransistor PT908-7C; NPN; Tageslicht und Infrarot; Flachgehäuse mit Seitenlinse;
Produktnummer: 131488
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EVERLIGHT Fototransistor PT333-3C; Tageslicht und Infrarot; 5 mm rund;
Produktnummer: 131490
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Transistor BC337-25, NPN, 45 V, 0,8 A, TO92
Produktnummer: 130327
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ON Semiconductor, Transistor, MJH6284, NPN, THT
Produktnummer: 131545
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Produktinformationen "EVERLIGHT Fototransistor PT204-6B; NPN; Infrarot; 3 mm rund; "
Schneller, empfindlicher Infrarot Fototransistor im Tageslicht-gefilterten schwarzen Gehäuse; ohne Basisanschluss; RoHS konform.
Technische Daten:
- Wellenlänge (50%-max-50%): 760-940-1100 nm
- Empfindlichkeit: 0,7 … 5,07 mA @ 1 mW/cm²; VCE= 5 V
- Öffnungswinkel: k. A.
- VCE max: 30 V
- VEC max: 5 V
- IC max: 20 mA
- IC off: 100 nA @ VCE=20 V
- tr: 15 µsec
- tf: 15 µsec
- PV max: 75 mW @ 25 °C
- Temp. Bereich: -25 … 85 °C
- Gehäuseform: T-1
- Montage : THT
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