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Produktnummer: 141005

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S40AH

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    Top-Features:
    • Arbeitsspannung: 40 V
    • Breakdown-Spannung min/max: 44,4/49,1 V
    • Hochleistungs-TVS-Diode
    • DO-218AB-Gehäuse
    • Peak Pulse Power 6600 W
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    Produktnummer: 141000
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    Produktnummer: 141002
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    Produktnummer: 141004
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    Produktnummer: 141006
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    Produktnummer: 141007
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    Produktnummer: 141008
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    Produktnummer: 141009
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    TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S13AH
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    Produktnummer: 141010
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    TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S15AH
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    Produktnummer: 141012
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    Produktnummer: 141013
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    TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S17AH
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    Produktnummer: 141014
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    Produktnummer: 141017
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    TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S20AH
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    Produktnummer: 141018
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    TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S22AH
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    Produktnummer: 141019
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    TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S36AH
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    Produktnummer: 141020
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    Produktnummer: 141022
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    TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD5S11AH
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    Produktnummer: 141023
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    TAIWAN SEMICONDUCTOR Diode 1N4148, axial
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    Produktnummer: 140021
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    Diode, Schottky, SB560, 5 A, 60 V
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    Produktnummer: 140259
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    Diode 1N4007, axial
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    Produktnummer: 140020
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    BAT 46 Schottky Diode 100 V, 0,15 A
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    Produktnummer: 140856
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    Diode, BYV27-150, 2 A, 150 V
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    Produktnummer: 140303
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      Schottky-Diode 1N5819
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      Produktnummer: 140731
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      Schottky-Diode 1N5822, 3 A/40 V
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      Produktnummer: 936059
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      Produktinformationen "TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S40AH"
      Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse.

      Technische Daten:

      • Arbeitsspannung: 40 V
      • Breakdown-Spannung min/max: 44,4/49,1 V
      • Peak Pulse Power Pppm: 6600 W
      • Peak Pulse Current Ipp: 102 A
      • Peak Forward Voltage: 1,8 V
      • Clamping Voltage @ Ippm: 64,5 V

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