VISHAY Fotodiode, BPV10NF, für Infrarot, Gehäuse T-1 3/4 (5mm, schwarz)

Sehr schnelle , empfindliche Silizium PIN-Fotodiode mit extrem kurzen Schaltzeiten, für Übertragungsfrequenzen bis zu 100 MHz, RoHS konform.

Technische Daten:

• Wellenlänge: 790-940-1050 nm; (50%-max.-50%)
• Rückwärtssperrspannung VR min.: 60 V
• Sperrstrom I ra: min. 30 µA ; typ. 60 µA @ 1mW/qcm; 950 nm; 5 V
• Dunkelstrom I r0: typ. 1 nA; max. 5 nA @ VR = 20 V;
• Kurzschlussstrom I k: typ 50 µA @1 mW/qcm; 870 nm
• Sperrkapazität CD: typ 11 pF @ VR = 0 V
• Steig- und Fallzeit tr,tf: typ. 2,5 ns @ 50 Ohm; 50 V; 820 nm
• Sensorfläche: 0,78 qmm
• Öffnungswinkel: +/- 20° @ 50%
• Temp. Bereich: -40 … 100 °C
• Montage: THT